デバイスチップの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-230163
公開番号（公開出願番号）：特開2020-092236
出願日： 2018年12月07日
公開日（公表日）： 2020年06月11日
要約：

【課題】デバイスチップの抗折強度を向上させることができるデバイスチップの製造方法を提供すること。【解決手段】デバイスチップの製造方法は、交差する分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの表面から、ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、幅方向外側に向かって浅くなるV形状のレーザー加工溝を分割予定ラインに沿って形成するレーザー加工溝形成ステップST2と、レーザー加工溝が形成されたウェーハの表面に粘着テープを貼着する保護部材貼着ステップST4と、粘着テープを介してチャックテーブルで保持したウェーハを裏面から研削し、仕上げ厚さまで薄化しつつウェーハを分割し、外側面に傾斜面を有するデバイスチップを形成する研削ステップST5と、を備える。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

交差する分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの表面から、ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、幅方向外側に向かって浅くなるV形状のレーザー加工溝を該分割予定ラインに沿って形成するレーザー加工溝形成ステップと、該レーザー加工溝が形成されたウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該保護部材を介してチャックテーブルで保持したウェーハを裏面から研削し、仕上げ厚さまで薄化しつつ該ウェーハを分割し、側面に傾斜面を有するデバイスチップを形成する研削ステップと、を備えるデバイスチップの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (3件)：

H01L21/78 B , H01L21/78 R , H01L21/78 S

Fターム (11件)：

5F063AA06 , 5F063BB01 , 5F063CA06 , 5F063CB02 , 5F063CB06 , 5F063CB15 , 5F063CB24 , 5F063DD02 , 5F063DD26 , 5F063DD44 , 5F063DF12

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-013573 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体基板のV字型溝形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-028030 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-031590 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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