特許
J-GLOBAL ID：200903071879602823

半導体装置の製造方法

発明者：
開沼 良浩

開沼 良浩 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-031590
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222119
出願日： 2005年02月08日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：
【課題】 紫外線硬化型粘着材のウェハ裏面への引きずりを防止して、歩留まり向上を図ることができる技術を提供する。【解決手段】 ウェハ1の素子形成面に表面保護シート11を貼り付ける。そして、表面保護シート11をウェハ単位で切断する。このとき、ウェハの外側にはみ出す切り残し14が発生する。続いて、ウェハ1の素子形成面とは反対側の面から紫外線照射ランプ15aによって紫外線を照射する。すると、ウェハ1がマスクとなり、切り残し14に形成されている紫外線硬化型粘着材11bだけが硬化する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
(a)紫外線を照射することにより硬化する粘着材を含む表面保護シートを、半導体ウェハの素子形成面に貼り付ける工程と、 (b)前記表面保護シートを前記半導体ウェハ単位で切断する工程と、 (c)前記(b)工程後、前記半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面から、紫外線を照射する工程と、 (d)前記(c)工程後、前記半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面を研削する工程とを備える半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/683
FI (3件)：
H01L21/304 631 ,  H01L21/304 622J ,  H01L21/68 N
Fターム (8件)：
5F031CA02 ,  5F031CA13 ,  5F031MA22 ,  5F031MA33 ,  5F031MA34 ,  5F031MA37 ,  5F031MA39 ,  5F031PA30
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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