保護キャップ層を用いるプラチナ含有薄膜のエッチング

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：片寄恭三
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-539226
公開番号（公開出願番号）：特表2020-507207
出願日： 2018年01月19日
公開日（公表日）： 2020年03月05日
要約：

マイクロ電子デバイス(200)の基板(202)上にプラチナ含有層(220)を形成することによって、マイクロ電子デバイス(200)が形成される。キャップ層(232)が、キャップ層(232)とプラチナ含有層(220)との間の界面にプラチナ酸化物がないように、プラチナ含有層(220)上に形成される。キャップ層(232)は、プラチナ含有層(220)もエッチングするエッチャント中でエッチング可能である。キャップ層(232)は、プラチナ酸化物がプラチナ含有層(220)上に生じる前に、プラチナ含有層(220)上に形成され得る。或いは、プラチナ含有層(220)上のプラチナ酸化物は、キャップ層(232)を形成する前に除去され得る。プラチナ含有層(220)は、プラチナシリサイド(226)を形成するために用いられ得る。プラチナ含有層(220)は、ウェットエッチャントをブロックするために、プラチナ含有層(220)の頂部表面の一部の上にハードマスク又はマスキングプラチナ酸化物(264)を形成することによってパターニングされ得る。

請求項（抜粋）：

マイクロ電子デバイスであって、基板、及び前記基板の頂部表面上のプラチナ含有層、を含み、前記プラチナ含有層が、前記基板の前記頂部表面とは反対に位置する頂部表面を有し、前記プラチナ含有層が、第1のセグメント及び前記第1のセグメントに隣接する第2のセグメントを含み、前記第1のセグメントにおける前記プラチナ含有層の前記頂部表面から前記第2のセグメントにおける前記プラチナ含有層の前記頂部表面まで測定したときの、前記第1のセグメントと前記第2のセグメントとの間の第1の離間が、前記第1のセグメントにおける前記基板の前記頂部表面から前記第2のセグメントにおける前記基板の前記頂部表面まで測定したときの、前記第1のセグメントと前記第2のセグメントとの間の第2の離間より大きく、前記第1のセグメントにおける前記プラチナ含有層の前記頂部表面に沿って測定したときの前記第1のセグメントの幅が、前記第1のセグメントの厚みの二倍より小さく、前記第2の離間が前記第1のセグメントの前記厚みの2倍より小さい、マイクロ電子デバイス。

IPC (9件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/306 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 23/532

FI (7件)：

H01L29/78 301P , H01L21/306 F , H01L29/78 301C , H01L21/28 301S , H01L29/50 M , H01L21/88 T , H01L21/88 Q

Fターム (66件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB22 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD84 , 4M104GG01 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F033HH25 , 5F033JJ07 , 5F033JJ31 , 5F033PP11 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ08 , 5F033QQ19 , 5F033QQ28 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033TT02 , 5F033VV07 , 5F033VV09 , 5F033XX10 , 5F033XX21 , 5F033XX31 , 5F043AA27 , 5F043BB15 , 5F043CC16 , 5F043GG04 , 5F140AA10 , 5F140AA14 , 5F140AB03 , 5F140AB10 , 5F140AC01 , 5F140BA01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG09 , 5F140BG19 , 5F140BG34 , 5F140BG42 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BK13 , 5F140BK34 , 5F140BK40 , 5F140CB01 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC05 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC12 , 5F140CC13 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-065402 出願人：富士通株式会社
特開平4-340711
半導体装置ならびに半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-257038 出願人：NECエレクトロニクス株式会社

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