特許
J-GLOBAL ID：200903071058800678

半導体装置の製造方法

発明者：
秋山 深一

秋山 深一 について

, 
川村 和郎

川村 和郎 について

, 
内田 正則

内田 正則 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-065402
公開番号（公開出願番号）：特開2008-118088
出願日： 2007年03月14日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：
【課題】王水を用いることなくニッケルプラチナ膜の未反応部分を選択的に除去しうるとともに、プラチナの残滓が半導体基板上に付着するのを防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板10上に、ゲート電極16と、ゲート電極16の両側のシリコン基板10内に形成されたソース/ドレイン拡散層24とを有するMOSトランジスタ26を形成し、シリコン基板10上に、ゲート電極16及びソース/ドレイン拡散層24を覆うようにNiPt膜28を形成し、熱処理を行うことにより、NiPt膜28とソース/ドレイン拡散層24の上部とを反応させ、ソース/ドレイン拡散層24上に、Ni(Pt)Si膜34a、34bを形成し、過酸化水素を含む71°C以上の薬液を用いて、NiPt膜28のうちの未反応の部分を選択的に除去するとともに、Ni(Pt)Si膜34a、34bの表面に酸化膜を形成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、ゲート電極とソース/ドレイン拡散層とを有するトランジスタを形成する工程と、 前記半導体基板上に、前記ゲート電極及び前記ソース/ドレイン拡散層を覆うようにニッケルプラチナ膜を形成する工程と、 熱処理を行うことにより、前記ニッケルプラチナ膜と前記ソース/ドレイン拡散層の上部とを反応させ、ニッケルプラチナシリサイド膜を形成する第1の熱処理工程と、 過酸化水素を含む71°C以上の薬液を用いて、前記ニッケルプラチナ膜のうちの未反応の部分を除去する工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (9件)：
H01L29/78 301P ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L21/88 Q ,  H01L21/90 C ,  H01L21/88 R ,  H01L27/08 321F ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321E
Fターム (156件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD50 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033LL09 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA19 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA10 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA05 ,  5F140BA20 ,  5F140BD06 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF19 ,  5F140BF21 ,  5F140BF29 ,  5F140BF59 ,  5F140BF60 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BG56 ,  5F140BH06 ,  5F140BH13 ,  5F140BH14 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ09 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CA06 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC13 ,  5F140CE18 ,  5F140CF04 ,  5F140CF05
引用特許：
出願人引用 (19件)
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審査官引用 (8件)
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