特許
J-GLOBAL ID：202003008916659738
位相シフトマスクブランクスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
, 正木 克彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-137328
公開番号（公開出願番号）：特開2018-159961
特許番号：特許第6627926号
出願日： 2018年07月23日
公開日（公表日）： 2018年10月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 152mm角、厚さ6.35mmの透明基板上に、波長200nm以下の光で、位相シフト量が150〜200°である位相シフト膜を有し、
上記位相シフト膜が、ケイ素及び窒素からなるケイ素系材料又はケイ素、窒素及び酸素からなるケイ素系材料の層を少なくとも1層含み、透過率が3%以上12%以下であり、膜厚が70nm以下である位相シフトマスクブランクスを製造する方法であって、
(1)上記透明基板上に上記位相シフト膜をスパッタリングにより成膜する工程と、
(2)上記透明基板上に成膜された位相シフト膜を、500°C以上900°C以下で6時間以上24時間以下熱処理する工程とを含み、
上記位相シフト膜を成膜する工程(1)が、
(A)透明基板上に、スパッタ装置を用いて、少なくとも1つのシリコンターゲットを用い、アルゴンガスと窒素ガスをスパッタチャンバー内に導入して、上記ケイ素及び窒素からなるケイ素系材料の層を形成する工程、及び
(B)透明基板上に、スパッタ装置を用いて、少なくとも1つのシリコンターゲットを用い、アルゴンガスと、窒素ガス、酸素ガス及び酸化窒素ガスから選ばれる少なくとも1つのガスとをスパッタチャンバー内に導入して、上記ケイ素、窒素及び酸素からなるケイ素系材料の層を形成する工程
の一方又は双方の工程を含む方法により、
上記位相シフト膜として、透明基板上に位相シフト膜を形成する前と、透明基板上に位相シフト膜が存在する状態との間で、透明基板表面中央部の142mm角内のそりの変化量(ΔTIR)が、絶対値で0.2μm以下であるハーフトーン位相シフト膜を形成することを特徴とする位相シフトマスクブランクスの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/32 ( 201 2.01)
, G03F 1/50 ( 201 2.01)
, G03F 1/60 ( 201 2.01)
G03F 1/32
, G03F 1/50
, G03F 1/60
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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