特許
J-GLOBAL ID：202003010077859739

フルオロカーボン膜の成膜方法及び成膜装置

発明者：
大参 宏昌

大参 宏昌 について

, 
安武 潔

安武 潔 について

, 
田中 智之

田中 智之 について


出願人/特許権者：
国立大学法人大阪大学

国立大学法人大阪大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-186813
公開番号（公開出願番号）：特開2020-056064
出願日： 2018年10月01日
公開日（公表日）： 2020年04月09日
要約：
【課題】CF4を原料ガスに用いて、CVD法により、低入力エネルギーでフルオロカーボン膜のより高速な成膜を行う。【解決手段】CF4を主成分として含む原料ガスを炭素含有材料との接触下でプラズマ化することにより、前記原料ガスを改質原料ガスに改質するガス改質工程と、ガス改質工程にて得られた改質原料ガスを成膜室に導入し、プラズマ化、光分解、熱分解することにより、基材上にフルオロカーボン膜を堆積する成膜工程とを含む製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
CF4を主成分として含む原料ガスを炭素含有材料との接触下でプラズマ化することにより、前記原料ガスを、CF4の少なくとも一部がCxFy(xは2以上の整数を示し、yは4以上の整数を示す)に変化した改質原料ガスに改質するガス改質工程と、 ガス改質工程にて得られた改質原料ガスを成膜室に導入し、基材上にフルオロカーボン膜を堆積する成膜工程と、を含む、フルオロカーボン膜の成膜方法。
IPC (6件)：
C23C 16/02 ,  H01L 21/31 ,  C07C 19/08 ,  C07C 21/185 ,  C07C 17/269 ,  C23C 16/448
FI (6件)：
C23C16/02 ,  H01L21/31 C ,  C07C19/08 ,  C07C21/185 ,  C07C17/269 ,  C23C16/448
Fターム (48件)：
4H006AA02 ,  4H006AC24 ,  4H006BA91 ,  4H006EA02 ,  4H006EA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA61 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030CA08 ,  4K030CA12 ,  4K030CA13 ,  4K030CA17 ,  4K030CA18 ,  4K030DA01 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030JA18 ,  4K030LA02 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC02 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045EH13 ,  5F045EM10 ,  5F058BC20 ,  5F058BF02 ,  5F058BF05 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 絶縁膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-328922   出願人：松下電器産業株式会社
  • レジスト除去方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-242717   出願人：岩谷産業株式会社
  • ガス分離装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-282061   出願人：オルガノ株式会社, 日本原子力研究所

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