特許
J-GLOBAL ID：202003014481408770

弾性波素子およびその製造方法

発明者：
山之内 和彦

山之内 和彦 について


出願人/特許権者：
株式会社弾性波デバイスラボ

株式会社弾性波デバイスラボ について


代理人 (2件)： 須田 篤 ,  楠 修二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-568562
特許番号：特許第6736006号
出願日： 2018年02月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 圧電基板と、 前記圧電基板の両面にそれぞれ設けられた1対の電極と、 前記圧電基板の少なくともいずれか一方の表面に、その表面に設けられた電極を覆うよう設けられた誘電体膜とを有し、 前記圧電基板は、33°〜39°回転YカットX伝搬のLiNbO3基板、161°〜167°回転YカットX伝搬のLiNbO3基板、LiNbO3基板、44°〜50°回転YカットX伝搬のLiTaO3基板、162°〜168°回転YカットX伝搬のLiTaO3基板、LiTaO3基板、ランガサイト基板、水晶基板、ZnO基板、圧電性セラミックス基板、AlN薄膜基板、ZnO薄膜基板、圧電性セラミックス薄膜基板、または、ScAlN薄膜基板であり、 前記誘電体膜は、伝搬する横波の音速が、前記圧電基板を伝搬する遅い横波の音速の2/3倍以下であり、かつ弾性表面波速度が1010m/s以上であり、(Bi2O3)X(SiO2またはGeO2)(1-X)膜[ここで、X=0.3〜1.0]、Biを含む化合物膜、BSO膜、BGO膜、In2O3膜、または、Inを含む化合物膜から成ることを 特徴とする弾性波素子。
IPC (5件)：
H03H 9/145 ( 200 6.01) ,  H03H 3/08 ( 200 6.01) ,  H03H 9/25 ( 200 6.01) ,  H03H 3/02 ( 200 6.01) ,  H03H 9/17 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H03H 9/145 C ,  H03H 9/145 Z ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/25 C ,  H03H 3/02 B ,  H03H 9/17 Z
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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