特許
J-GLOBAL ID：201103071527141891

弾性波デバイスおよびその製造方法

発明者：
松田 聡

松田 聡 について

, 
三浦 道雄

三浦 道雄 について

, 
松田 隆志

松田 隆志 について


出願人/特許権者：
太陽誘電株式会社

太陽誘電株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-225063
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077682
出願日： 2009年09月29日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】弾性波デバイスの周波数の温度依存性を抑制することおよび弾性波デバイスにおけるTCFの製造バラツキを抑制すること。【解決手段】酸化シリコン膜を成膜する第1の成膜工程(S10)と、前記酸化シリコン膜のSi-O結合の伸縮振動に関する数値を測定する測定工程(S12)と、前記数値が、目標範囲内の場合、基板上に前記第1の成膜工程で用いた条件を用い酸化シリコン膜を成膜する第2の成膜工程(S18)と、を含む弾性波デバイスの製造方法。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
酸化シリコン膜を成膜する第1の成膜工程と、 前記酸化シリコン膜のSi-O結合の伸縮振動に関する数値を測定する測定工程と、 前記数値が、目標範囲内の場合、基板上に前記第1の成膜工程で用いた条件を用い酸化シリコン膜を成膜する第2の成膜工程と、 を含む弾性波デバイスの製造方法。
IPC (7件)：
H03H 3/08 ,  H03H 9/145 ,  H03H 9/64 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22
FI (7件)：
H03H3/08 ,  H03H9/145 C ,  H03H9/64 Z ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/22 Z
Fターム (7件)：
5J097AA21 ,  5J097BB02 ,  5J097DD29 ,  5J097FF05 ,  5J097HB02 ,  5J097HB05 ,  5J097KK09
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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