特許
J-GLOBAL ID：202003017060390065
三次元多孔高分子金属錯体、これを用いたガス吸着材、ガス分離装置、ガス貯蔵装置、触媒、導電性材料、センサー
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (6件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 福地 律生
, 小林 良博
, 出野 知
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-034357
公開番号（公開出願番号）：特開2017-149683
特許番号：特許第6676406号
出願日： 2016年02月25日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 [AX]n (i)
(式中、Aはコバルトイオン、ニッケルイオン、亜鉛イオン、または銅イオンから選ばれる2価の遷移金属イオンを表し、Xは5位にふっ素以外の含ハロゲン官能基を有するイソフタル酸イオンを少なくとも1種含む複数種のイソフタル酸イオンを表し、nは、AXから成る構成単位の数を表す)
の構造単位を有する多孔性高分子金属錯体であって、
前記遷移金属イオン2個が、3個のイソフタル酸誘導体それぞれが有する1個のカルボキシル基により架橋されている2核クラスタ構造を有しており、前記2個の遷移金属イオンのそれぞれが、前記架橋しているイソフタル酸誘導体とは異なるイソフタル酸誘導体とさらに結合して、酸素が4個配位した4配位構造を有している、三次元ネットワーク構造を有する多孔性高分子金属錯体。
IPC (5件)：
C07C 63/24 ( 200 6.01)
, C08G 79/00 ( 200 6.01)
, B01J 20/26 ( 200 6.01)
, B01D 53/02 ( 200 6.01)
, B01J 31/22 ( 200 6.01)
C07C 63/24 CSP
, C08G 79/00
, B01J 20/26 A
, B01D 53/02
, B01J 31/22 M
