特許
J-GLOBAL ID：202003017769641010
炭化珪素基板の製造方法及び炭化珪素基板
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人英明国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-503107
特許番号：特許第6743963号
出願日： 2018年03月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭素、珪素又は炭化珪素からなる母材基板の両面に、酸化珪素、窒化珪素、窒化炭化珪素又はシリサイドを含む被覆層を設け、その被覆層表面を平滑面とした支持基板を準備する工程と、
上記支持基板の両面に気相成長法又は液相成長法で多結晶炭化珪素の膜を形成する工程と、
上記支持基板のうち、少なくとも被覆層を化学的に除去して該支持基板から表面に被覆層表面の平滑性を反映させたままで多結晶炭化珪素の膜を分離し、この多結晶炭化珪素の膜を結晶粒径が10nm以上10μm以下であり、少なくとも一方の主面の算術平均粗さRaが0.3nm以下である炭化珪素基板として得る工程と
を有する炭化珪素基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 25/18 ( 200 6.01)
, C23C 16/01 ( 200 6.01)
, C23C 16/42 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, C30B 25/18
, C23C 16/01
, C23C 16/42
