SiCパーティクルモニタウェハ

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：村上友一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-088211
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282664
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】反りのなく繰り返しパーティクルモニタとして使用可能なSiCウェハとする。【解決手段】半導体製造工程で用いられるプロセス管理用のモニタウェハであって、SiCにより形成されたウェハ母材に黒色SiC膜をコーティングした二重構造を持つ構造とした。ウェハ母材は焼結体SiCにより形成することがよく、当該ウェハの表面粗さがRa=0.5nm以下とすることが望ましい。また、当該ウェハの表面の不純物密度を1×1011atoms/cm2以下とすればよい。

請求項（抜粋）：

半導体製造工程で用いられるプロセス管理用のモニタウェハであって、SiCにより形成されたウェハ母材に黒色SiC膜をコーティングした二重構造を持つことを特徴とするSiCパーティクルモニタウェハ。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , C23C 16/42 , H01L 21/02

FI (3件)：

H01L 21/66 Y , C23C 16/42 , H01L 21/02 B

Fターム (6件)：

4K030BA37 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 4M106AA01 , 4M106CA41

引用特許：

審査官引用 (6件)

ダミーウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-185581 出願人：日清紡績株式会社
半導体用部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-173565 出願人：東芝セラミックス株式会社
ウェハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-231469 出願人：株式会社ブリヂストン

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