特許
J-GLOBAL ID:202003018172790020

保護層付きガス分離膜、保護層付きガス分離膜の製造方法、ガス分離膜モジュール及びガス分離装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-554956
特許番号:特許第6652575号
出願日: 2016年10月12日
請求項(抜粋):
【請求項1】 下記条件1、3および4のいずれか1つを満たすガス分離膜と、 前記ガス分離膜におけるシロキサン結合を有する化合物を含む樹脂層の上に位置する保護層と、 多孔質層と、 をこの順で有し、 前記保護層がシリコーン樹脂を含む保護層付きガス分離膜; 条件1:前記樹脂層が下記式1および下記式2を満たすガス分離膜; 式1 0.9≧A/B≧0.55 式2 B≧1.7 式1および式2中、Aは前記樹脂層の表面から10nmの深さにおける前記樹脂層に含まれる酸素原子の数のケイ素原子の数に対する比であるO/Si比を表し、Bは前記樹脂層の表面における酸素原子の数のケイ素原子の数に対する比であるO/Si比を表す; 条件3:前記樹脂層のESCA深さ解析におけるSi2+およびSi3+のピークの全Siのピークに対する割合の最小値Si0が1〜40%である; 条件4:前記樹脂層の表面から陽電子を1keVの強さで打ち込んだ場合の第三成分の陽電子寿命τ3が3.40〜4.20nsとなる。
IPC (6件):
B01D 71/70 ( 200 6.01) ,  B01D 69/10 ( 200 6.01) ,  B01D 69/12 ( 200 6.01) ,  B01D 69/02 ( 200 6.01) ,  B01D 69/00 ( 200 6.01) ,  B01D 53/22 ( 200 6.01)
FI (6件):
B01D 71/70 500 ,  B01D 69/10 ,  B01D 69/12 ,  B01D 69/02 ,  B01D 69/00 ,  B01D 53/22
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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