特許
J-GLOBAL ID：202003018736398087
基板保持部材及び気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
特許業務法人 志賀国際特許事務所
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 伏見 俊介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-046908
公開番号（公開出願番号）：特開2017-163022
特許番号：特許第6732483号
出願日： 2016年03月10日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板面に対して平行な方向に原料ガスを供給しながら前記基板上に化合物半導体薄膜を気相成長させる際に用いられる、基板保持部材であって、
前記基板の底面側から当該基板を加熱するプレート部と、
前記プレート部の上面に設けられ、前記基板の底面と前記プレート部の上面とが離間した状態で当該基板の底面を支持する基板支持凸部と、を備え、
前記プレート部は、前記基板の底面の外周部と前記プレート部の上面の外周部とを非接触で近づける2段以上のリング状の段差を有し、
前記段差は、リングの中心側の段差が1段目の段差であり、前記1段目の段差の外周側の段差が2段目の段差であり、
前記プレート部の上面から前記1段目の段差の上面までの高さをa、
前記プレート部の上面から前記2段目の段差の上面までの高さをb、
前記1段目の段差における、前記リングの中心側の端から外周側の端までの距離をd、
前記2段目の段差における、前記リングの中心側の端から外周側の端までの距離をe、とした際、
d=eであり、b>2aである、基板保持部材。
IPC (3件)：
H01L 21/683 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/458 ( 200 6.01)
H01L 21/68 N
, H01L 21/205
, C23C 16/458
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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