基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：井上俊夫 , 三井田友昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-034336
公開番号（公開出願番号）：特開2015-159248
出願日： 2014年02月25日
公開日（公表日）： 2015年09月03日
要約：

【課題】基板処理装置において、回転テーブルに受け渡された基板が反ることを防ぎ、それによって装置のスループットを高くすることができる技術を提供すること。【解決手段】前記基板を収納するために前記回転テーブルの一面側に形成された凹部と、前記基板を600°C以上に加熱して処理するために、前記回転テーブルを加熱する加熱部と、前記凹部の底面において正三角形の頂点に各々位置し、基板の中心から当該基板の半径の2/3離れた箇所を各々支持して、前記基板を、当該凹部の底面から浮いた状態で支持するために設けられた3つの支持ピンと、を備えるように装置を構成する。支持ピンは、基板の自重による変形が抑えられるように当該基板を支持することになる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

真空容器内にて回転テーブル上に載置した円形の基板を公転させながら、当該基板に対して処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置において、前記基板を収納するために前記回転テーブルの一面側に形成された凹部と、前記基板を600°C以上に加熱して処理するために、前記回転テーブルを加熱する加熱部と、前記凹部の底面において正三角形の頂点に各々位置し、基板の中心から当該基板の半径の2/3離れた箇所を各々支持して、前記基板を、当該凹部の底面から浮いた状態で支持するために設けられた3つの支持ピンと、を備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/458 , H01L 21/683

FI (3件)：

H01L21/31 B , C23C16/458 , H01L21/68 N

Fターム (52件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030KA46 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA15 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AF03 , 5F045BB02 , 5F045BB11 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045DQ10 , 5F045DQ12 , 5F045EB06 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F045EK07 , 5F045EM02 , 5F045EM06 , 5F045EN04 , 5F131AA02 , 5F131BA01 , 5F131CA07 , 5F131CA32 , 5F131DA33 , 5F131DA42 , 5F131DB02 , 5F131EA04 , 5F131EA24 , 5F131EB54 , 5F131EB55 , 5F131EB67 , 5F131EB72 , 5F131EB78 , 5F131EB79 , 5F131EB81

引用特許：

審査官引用 (10件)

化合物半導体の製造装置、化合物半導体の製造方法及び化合物半導体
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-184775 出願人：昭和電工株式会社
サブストレートの熱処理のための装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-555121 出願人：シュテアクエルテーペーシステムズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
縦型炉用ウェーハボート
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-297004 出願人：日本電気株式会社

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