文献

J-GLOBAL ID：202102273593240391   整理番号：21A0026037

界面加工[数式:原文を参照]ヘテロ構造における垂直磁気異方性とGilbert減衰へのスピン分解の寄与【JST・京大機械翻訳】

Spin-Resolved Contribution to Perpendicular Magnetic Anisotropy and Gilbert Damping in Interface-Engineered [Formula : see text] Heterostructures

著者 (11件)： Mandal Ruma (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Xiang Qingyi (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Xiang Qingyi (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba 305-8577, Japan) ,  Masuda Keisuke (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Miura Yoshio (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Miura Yoshio (Center for Spintronics Research Network, Osaka University, Toyonaka 560-8531, Japan) ,  Sukegawa Hiroaki (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Mitani Seiji (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Mitani Seiji (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba 305-8577, Japan) ,  Takahashi Yukiko K. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Takahashi Yukiko K. (School of Advanced Science and Engineering, Waseda University, Tokyo 169-8050, Japan)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 14  号： 6  ページ： 064027  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強磁性薄膜における低磁気Gilbert減衰定数と大きな垂直磁気異方性(PMA)の共存は,高速かつエネルギー効率の良いスピントロニクスデバイスにとって極めて重要である。減衰とPMAのスピン分解寄与を明らかにするために,[数式:原文を参照](0.7nm)/[数式:原文を参照](酸化物)(3nm)二層膜において,酸化度に従ってPMAエネルギー密度を変えるための触媒として作用する,ex situアニーリング温度を変えることによって,平坦で格子整合界面を開発した。ここでは,界面工学のための最適化手順を,エピタキシャル薄膜のための極めて低い磁気Gilbert減衰定数(0.013)と強い界面PMAエネルギー[数式:原文を参照]を達成するために実行した。第一原理計算において異なる界面原子配置を採用することによって,本研究ではPMAエネルギーと減衰定数の起源を説明した。少数スピン状態の界面[数式:原文を参照]原子のd_(yz)とd_(zx)軌道は,軌道モーメントとその異方性に役割を果たす。さらに,非スピンフリップ項におけるこれら2つの軌道間の行列要素は,主に減衰に寄与する。これらの詳細な知見は,著しく改善されたPMAエネルギーと低い減衰特性を有する材料の開発への明確な洞察を提供し,それによって有望な将来のスピントロニクス応用を容易にした。Copyright 2021 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  *界面 ,  最適化 ,  薄膜 ,  酸化物 ,  *磁気 ,  エネルギー密度 ,  *垂直磁気異方性 ,  スピントロニクス ,  格子整合
準シソーラス用語： スピンフリップ ,  *ヘテロ構造 ,  第一原理計算 ,  スピン状態 ,  強磁性薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  磁気異方性・磁気機械効果一般  (BM06101B) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L) ,  金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 界面 ,  数式 ,  参照 ,  ヘテロ構造 ,  垂直磁気異方性 ,  Gilbert減衰 ,  スピン ,  分解