特許
J-GLOBAL ID:202103005673809335
電気めっきMEMS構造の高融点シード金属
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
関口 一哉
, 荒川 聡志
, 小倉 博
, 田中 拓人
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-511120
特許番号:特許第6820913号
出願日: 2016年07月13日
請求項(抜粋):
【請求項1】 微小電気機械システム(MEMS)デバイス(10)であって、
基板(24)と、
前記基板(24)に形成された自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造(14)とを含み、前記自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造(14)は、
前記基板(24)に機械的に結合された機械要素(16)と、
前記機械要素(16)に機械的に結合されて電気的に連通し、高融点金属および高融点金属合金の少なくとも1つを含むシード層(20)と、
前記シード層(20)によって覆われていない前記機械要素(16)の少なくとも1つの追加の表面に形成される前記機械要素(16)に機械的に結合された保護層(40)とを含み、
前記機械要素(16)の厚さは、前記シード層(20)の厚さより実質的に厚く、それにより前記自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造(14)の機械的および電気的特性は、前記機械要素(16)の材料特性によって規定され、自立構造(16)の残留応力と前記自立構造(16)の厚さの積が前記シード層(20)の残留応力と厚さの積の3倍を超える、MEMSデバイス(10)。
IPC (3件):
B81B 3/00 ( 200 6.01)
, B81C 1/00 ( 200 6.01)
, H01H 59/00 ( 200 6.01)
FI (3件):
B81B 3/00
, B81C 1/00
, H01H 59/00
引用特許:
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る