特許
J-GLOBAL ID：202103007323975391
低応力低水素LPCVDシリコン窒化物
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片寄 恭三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-558375
特許番号：特許第6931208号
出願日： 2016年05月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ガリウム窒化物電界効果トランジスタ(GaN FET)デバイスであって、
基板としてのガリウム窒化物層とアルミニウムガリウム窒化物層とのスタックと、
前記スタック上のガリウム窒化物のキャップ層と、
前記キャップ層の第1の表面上のシリコン窒化物層であって、
3:4の比の2パーセント内のシリコン:窒素原子比と、
600メカパスカル(MPa)〜1000MPaの応力と、
5原子百分率未満の水素含有量と、
の特性を有する、前記シリコン窒化物層と、
前記キャップ層の上のGaN FETのゲートであって、その中心部において前記キャップ層の第1の表面に直接に接し、その端部において前記シリコン窒化物層に部分的に重なる、前記ゲートと、
を含む、GaN FETデバイス。
IPC (9件)：
H01L 21/318 ( 200 6.01)
, B81B 3/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/283 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
H01L 21/318 B
, B81B 3/00
, H01L 21/283 B
, H01L 21/285 C
, H01L 29/78 301 F
, H01L 27/092 N
, H01L 27/092 D
, H01L 21/31 B
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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