特許
J-GLOBAL ID：202103009913203958
半導体装置、および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-545116
特許番号：特許第6828689号
出願日： 2016年09月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電界効果トランジスタが設けられたトランジスタ領域と、
前記電界効果トランジスタと電気的に接続された金属層が設けられた配線領域と、
を備え、
前記配線領域は、
前記金属層と基板との間に複数層設けられた絶縁層と、
前記金属層の下の前記絶縁層の各々に設けられ、且つ、前記基板を平面視した際に重ならないように配置され、前記絶縁層よりも誘電率が低い低誘電率層と、
を備える、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 21/90 J
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 301 N
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 W
