特許
J-GLOBAL ID：202103010322284280
垂直共振器型発光素子及び垂直共振器型発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人レクスト国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-095999
公開番号（公開出願番号）：特開2017-204579
特許番号：特許第6923295号
出願日： 2016年05月12日
公開日（公表日）： 2017年11月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化物半導体DBR層からなる第1反射鏡と、
前記第1反射鏡上に形成され、少なくとも1の窒化物半導体層からなる第1半導体層と、
前記第1半導体層上に形成された少なくとも1の窒化物半導体層からなる活性層と、
前記活性層上に形成され、前記第1半導体層と反対の導電型を有する少なくとも1の窒化物半導体層からなる第2半導体層と、
前記第2半導体層上に形成された少なくとも1の窒化物半導体層からなるトンネル接合層と、
前記トンネル接合層上に形成され、前記第2半導体層と反対の導電型を有する少なくとも1の窒化物半導体層からなる第3半導体層と、
前記第3半導体層上に前記第1反射鏡に対向して配された第2反射鏡と、
を有し、
前記トンネル接合層は、前記第2半導体層の上面全体を覆っているかまたは前記第3半導体層の下面全体を覆っていることにより前記第2半導体層と前記第3半導体層とを分離しており、
前記第1反射鏡、前記第2反射鏡、前記第1半導体層、前記第2半導体層、及び前記第3半導体層のうち少なくとも1は、隣接する上層及び下層の半導体層の側壁よりも内側に窪んだ半導体層を有し、
前記窪んだ半導体層は、AlxInyGa(1-x-y)N系半導体層(0.15<x<1、0≦y<0.85、0.15<x+y≦1)であって、前記窪んだ半導体層に隣接する前記上層及び下層の半導体層はInzGa(1-z)N系半導体層(0≦z<1)である垂直共振器型窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/183 ( 200 6.01)
, H01S 5/042 ( 200 6.01)
H01S 5/183
, H01S 5/042 614
