特許
J-GLOBAL ID：200903061200585962

面発光レーザ素子、該面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイ、電子写真システム、面発光レーザモジュール、光通信システム、光インターコネクションシステム、および面発光レーザ素子の製造方法

発明者：
軸谷 直人

軸谷 直人 について

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佐藤 俊一

佐藤 俊一 について

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高橋 孝志

高橋 孝志 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-032758
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253408
出願日： 2003年02月10日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】素子抵抗が低く、高出力動作可能であり、且つ高出力まで単一基本横モード発振が可能な面発光レーザ素子を提供する。【解決手段】p-Al0.9Ga0.1As/Al0.15Ga0.85As上部半導体分布ブラッグ反射器108,n-Al0.9Ga0.1As/Al0.15Ga0.85As下部半導体分布ブラッグ反射器103に、それぞれ、AlAs被選択酸化層109,104が設けられており、n-Al0.9Ga0.1As/Al0.15Ga0.85As下部半導体分布ブラッグ反射器103中に設けられた非酸化(導通)領域113bの一辺の長さを5μmとして、p-Al0.9Ga0.1As/Al0.15Ga0.85As上部半導体分布ブラッグ反射器108中の非酸化(導通)領域113aに比べて小さくしている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
活性層と、活性層を挟んで対向する一対の分布ブラッグ反射器とを備え、正孔通路の途中に設けたAlを構成元素として含む半導体被選択酸化層を選択酸化して成る正孔狭窄層を有する面発光レーザ素子において、前記正孔狭窄層の他に、Alを構成元素として含む半導体被選択酸化層を選択酸化して成る高次横モード抑制層を有し、高次横モード抑制層における非酸化領域の面積が、正孔狭窄層における非酸化領域の面積に対して、相対的に小さいことを特徴とする面発光レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S5/187 ,  H01S5/323
FI (2件)：
H01S5/187 ,  H01S5/323
Fターム (14件)：
5F073AA07 ,  5F073AA22 ,  5F073AA65 ,  5F073AB05 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073DA27 ,  5F073EA16 ,  5F073EA18 ,  5F073EA24
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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