特許
J-GLOBAL ID：202103011390724252

基板処理方法及び基板処理装置

発明者：
神戸 喬史

神戸 喬史 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 別役 重尚
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-158745
公開番号（公開出願番号）：特開2018-026501
特許番号：特許第6789721号
出願日： 2016年08月12日
公開日（公表日）： 2018年02月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 有機膜の上に形成されたメタル膜を有する基板にプラズマを用いたエッチングを施す基板処理方法であって、 前記基板へ前記プラズマにおける陽イオンを引きこむためのバイアス電圧を、最初に連続印加し、前記有機膜が露出するよりも所定の時間ほど前から前記バイアス電圧をパルス印加し始め、前記有機膜が露出した後も前記バイアス電圧のパルス印加を継続して前記メタル膜をエッチングし、 前記バイアス電圧のパルス印加におけるデューティー比は50%〜70%であることを特徴とする基板処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  C23F 4/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)
FI (10件)：
H01L 21/302 301 ,  H01L 21/302 105 A ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 U ,  H05H 1/46 L ,  H05H 1/46 M
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • エッチング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-103046   出願人：ソニー株式会社
  • 試料の表面加工方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-065670   出願人：株式会社日立製作所, 日立テクノエンジニアリング株式会社
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-369401   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
全件表示
審査官引用 (5件)
  • エッチング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-103046   出願人：ソニー株式会社
  • 試料の表面加工方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-065670   出願人：株式会社日立製作所, 日立テクノエンジニアリング株式会社
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-369401   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM