特許
J-GLOBAL ID：202103013324872308
フォトトランジスタおよび電子機器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-165115
公開番号（公開出願番号）：特開2021-044367
出願日： 2019年09月11日
公開日（公表日）： 2021年03月18日
要約：
【課題】デバイスの特性を向上させることが可能なフォトトランジスタ等を提供する。【解決手段】フォトトランジスタ1は、ゲート電極11を有する半導体基板10と、この半導体基板10上に形成された絶縁膜12と、この絶縁膜12上において互いに離間配置された電極15a,15b(ソース電極およびドレイン電極)と、これらの電極15a,15bの間に配置されていると共に、電極15a,15bの間に流れるドレイン電流(光電流)Idの経路となる量子ドット層14と、を備えている。量子ドット層14は、コア・シェル型により構成された複数の量子ドット141と、これら複数の量子ドット141の間に分散配置された導電性イオン142と、を有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上において互いに離間配置された、ソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されていると共に、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に流れる光電流としてのドレイン電流の経路となる量子ドット層と
を備え、
前記量子ドット層は、
コア・シェル型により構成された複数の量子ドットと、
前記複数の量子ドットの間に分散配置された導電性イオンと
を有するフォトトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
5F849AA14
, 5F849AB09
, 5F849BA01
, 5F849BA04
, 5F849BA09
, 5F849BB03
, 5F849DA11
, 5F849DA33
, 5F849EA04
, 5F849FA05
, 5F849FA13
, 5F849GA05
, 5F849LA01
, 5F849XB17
, 5F849XB24
, 5F849XB43
