特許
J-GLOBAL ID：201403026544036941
炭素系伝導体と量子ドットとを有するフォトトランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
勝沼 宏仁
, 永井 浩之
, 磯貝 克臣
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-523308
公開番号（公開出願番号）：特表2014-522117
出願日： 2012年07月31日
公開日（公表日）： 2014年08月28日
要約：
本発明は、炭素系伝導層(2)と、上面上の、光吸収材料としてのコロイド状量子ドットの層(1)と、を備えた光電子プラットフォームである。炭素系伝導層は、グラフェンまたは還元酸化グラフェンまたはカーボンナノチューブから形成され得る。低電圧の操作を維持した場合であっても、106のオーダーで光導電性の増幅が可能である。当該プラットフォームは、トランジスタとして用いられ得る。
請求項（抜粋）：
炭素系伝導層(2)と、当該炭素系伝導層(2)の上面上の、光を吸収するためのコロイド状量子ドットの層(1)と、を備えた光電子プラットフォームであって、
前記炭素系伝導層(2)は、グラフェンまたは還元酸化グラフェンまたはカーボンナノチューブからなる
ことを特徴とする光電子プラットフォーム。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F049MA14
, 5F049MB01
, 5F049NA05
, 5F049NB01
, 5F049NB03
, 5F049NB05
, 5F049PA20
, 5F049SS03
