特許
J-GLOBAL ID:202103013904316275

スイッチング素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2020-021847
公開番号(公開出願番号):特開2021-128990
出願日: 2020年02月12日
公開日(公表日): 2021年09月02日
要約:
【課題】 ヘテロ接合界面を有するスイッチング素子において、ゲート電極に電圧が印加されていない状態におけるリーク電流を低減する。【解決手段】 スイッチング素子であって、第1化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層に対してヘテロ接合する第2化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の界面に対して対向するゲート電極、を有する。前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の少なくとも一方が、強誘電性を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
スイッチング素子であって、 第1化合物半導体層と、 前記第1化合物半導体層に対してヘテロ接合する第2化合物半導体層と、 前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の界面に対して対向するゲート電極、 を有し、 前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の少なくとも一方が、強誘電性を有する、スイッチング素子。
IPC (4件):
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 41/257
FI (2件):
H01L29/80 H ,  H01L41/257
Fターム (8件):
5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GL01 ,  5F102GM01 ,  5F102GQ01
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 積層構造体および半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2017-191609   出願人:株式会社FLOSFIA
  • 特公昭48-005865
  • 特開昭63-216380
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引用文献:
審査官引用 (1件)
  • Crystal Structure and Ferroelectric Properties of ε-Ga2O3 Films Grown on (0001)-Sapphire

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