スイッチング素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-021847
公開番号（公開出願番号）：特開2021-128990
出願日： 2020年02月12日
公開日（公表日）： 2021年09月02日
要約：

【課題】ヘテロ接合界面を有するスイッチング素子において、ゲート電極に電圧が印加されていない状態におけるリーク電流を低減する。【解決手段】スイッチング素子であって、第1化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層に対してヘテロ接合する第2化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の界面に対して対向するゲート電極、を有する。前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の少なくとも一方が、強誘電性を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

スイッチング素子であって、第1化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層に対してヘテロ接合する第2化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の界面に対して対向するゲート電極、を有し、前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の少なくとも一方が、強誘電性を有する、スイッチング素子。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 41/257

FI (2件)：

H01L29/80 H , H01L41/257

Fターム (8件)：

5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ01 , 5F102GL01 , 5F102GM01 , 5F102GQ01

引用特許：

出願人引用 (5件)

積層構造体および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2017-191609 出願人：株式会社FLOSFIA
特公昭48-005865
特開昭63-216380

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審査官引用 (5件)

積層構造体および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2017-191609 出願人：株式会社FLOSFIA
特公昭48-005865
特開昭63-216380

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引用文献：

出願人引用 (1件)

Crystal Structure and Ferroelectric Properties of ε-Ga2O3 Films Grown on (0001)-Sapphire

審査官引用 (1件)

Crystal Structure and Ferroelectric Properties of ε-Ga2O3 Films Grown on (0001)-Sapphire

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