特許
J-GLOBAL ID：200903034819160357

電界効果型トランジスタ

発明者：
寺口 信明

寺口 信明 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-143069
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317729
出願日： 2006年05月23日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】窒化物半導体層のヘテロ構造を含むノーマリオフタイプのFETを提供する。【解決手段】格子定数a1およびバンドギャップEg1を有する第1窒化物半導体層と、第1窒化物半導体層上に積層されていて格子定数a2およびバンドギャップEg2を有する第2窒化物半導体層と、第2窒化物半導体層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間の領域において第2窒化物半導体層上に形成されたピエゾ効果膜と、ピエゾ効果膜の領域上に形成されたゲート電極とを含み、格子定数a1とa2との関係がa1>a2であり、バンドギャップEg1とEg2との関係がEg1<Eg2であり、ピエゾ効果膜の第2窒化物半導体層側の表面における残留分極密度が、第1窒化物半導体層と第2窒化物半導体層との界面における2次元電子ガス層の電荷密度以上であって、ピエゾ効果膜の第2窒化物半導体層側の表面にマイナス電荷が分極している電界効果型トランジスタである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
格子定数a1およびバンドギャップEg1を有する第1窒化物半導体層と、 前記第1窒化物半導体層上に積層されていて格子定数a2およびバンドギャップEg2を有する第2窒化物半導体層と、 前記第2窒化物半導体層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の少なくとも一部の領域において前記第2窒化物半導体層上に形成されたピエゾ効果膜と、 前記ピエゾ効果膜の少なくとも一部の領域上に形成されたゲート電極とを含み、 前記格子定数a1とa2との関係がa1>a2であり、 前記バンドギャップEg1とEg2との関係がEg1<Eg2であり、 前記ピエゾ効果膜の前記第2窒化物半導体層側の表面における残留分極密度が、前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層との界面における2次元電子ガス層の電荷密度以上であって、前記ピエゾ効果膜の前記第2窒化物半導体層側の表面にマイナス電荷が分極していることを特徴とする、電界効果型トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G
Fターム (37件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F140AA00 ,  5F140AA04 ,  5F140AC28 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BD04 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第5,192,987号明細書
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM