特許
J-GLOBAL ID：201803014706408718
セラミック基板、及びセラミック基板を製造する方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-542391
公開番号（公開出願番号）：特表2018-510502
出願日： 2016年02月10日
公開日（公表日）： 2018年04月12日
要約：
本発明は、i)パワー半導体(102-1、...、102-n)、及びii)パワー半導体(102-1、...、102-n)をセラミック基板(100)のエッジ(100-3)の第1端子(105-1、...、105-n)に接続するように構成された少なくとも1つの第1金属プレーンコンタクト(104-1、...、104-n)を有する第1金属層(104)、を有する正面(100-1)と、i)キャパシタ(103)、及びii)キャパシタ(103)をセラミック基板(100)のエッジ(100-3)の第2端子(107-1、...、107-n)に接続するように構成された少なくとも1つの第2金属プレーンコンタクト(108-1、...、108-n)を有する第2金属層(108)、を有する背面(100-2)と、第1金属層(104)を第2金属層(108)に接続するように構成された金属フレーム(110)と、を有するセラミック基板(100)に関する。
請求項（抜粋）：
セラミック基板であって、
正面であり、
i)パワー半導体、及び
ii)前記パワー半導体を当該セラミック基板のエッジの第1端子に接続するように構成された、少なくとも1つの第1金属プレーンコンタクトを有する第1金属層
を有する正面と、
背面であり、
i)第1キャパシタ、及び
ii)前記第1キャパシタを当該セラミック基板の前記エッジの第2端子に接続するように構成された、少なくとも1つの第2金属プレーンコンタクトを有する第2金属層
を有する背面と、
前記第1金属層を前記第2金属層に接続するように構成された金属フレームと、
を有し、
前記第2金属層は、当該セラミック基板の前記背面の背面電流経路を形成するように構成され、前記背面電流経路は、前記第1金属層によって提供される前記正面のスイッチング電流経路に対応する、
セラミック基板。
IPC (6件)：
H01L 23/13
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12
, H01L 23/48
, H02M 3/00
H01L23/12 C
, H01L25/04 C
, H01L23/12 B
, H01L23/48 Q
, H02M3/00 Y
5H730BB14
, 5H730BB26
, 5H730BB27
, 5H730BB43
, 5H730ZZ05
, 5H730ZZ11
, 5H730ZZ13
