メモリコントローラ、不揮発性メモリおよびメモリコントローラの制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸島敏一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-566533
特許番号：特許第6958363号
出願日： 2016年12月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】メモリセルまでの配線の配線抵抗と原データを前記メモリセルに保持させた際に前記メモリセルに生じるリーク電流とから電圧降下量を推定する電圧降下量推定部と、前記推定された電圧降下量が所定の閾値を超える場合には所定の符号化処理を前記原データに対して行う符号化部とを具備し、前記メモリセルが二次元格子状に配列されたメモリセルアレイは、ドライバからの配線距離が所定距離を超えない推定不要領域と前記配線距離が前記所定距離を超える推定領域とに分割され、前記電圧降下量推定部は、前記推定領域に前記原データを保持させる場合には前記電圧降下量を推定するメモリコントローラ。

IPC (3件)：