特許
J-GLOBAL ID:202103017932753155
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2020-010928
公開番号(公開出願番号):特開2021-118266
出願日: 2020年01月27日
公開日(公表日): 2021年08月10日
要約:
【課題】耐圧等の半導体特性に優れている半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁体基板11と、誘電体膜15と、半導体層18とを含む縦型半導体装置であって、絶縁体基板上11に、誘電体膜15及び半導体層18が積層されており、絶縁体基板11が、半導体層18と同じ結晶構造を有する結晶基板である。【選択図】図11
請求項(抜粋):
絶縁体基板と、誘電体膜と、半導体層とを含む縦型半導体装置であって、前記絶縁体基板上に、前記誘電体膜及び前記半導体層が積層されており、前記絶縁体基板が、前記半導体層と同じ結晶構造を有する結晶基板であることを特徴とする半導体装置。
IPC (11件):
H01L 29/12
, H01L 29/78
, C30B 25/04
, C30B 29/16
, H01L 29/24
, H01L 29/739
, H01L 21/336
, H01L 29/872
, H01L 21/329
, H01L 21/365
, H01L 21/368
FI (11件):
H01L29/78 652T
, C30B25/04
, C30B29/16
, H01L29/24
, H01L29/78 652C
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 658E
, H01L29/86 301D
, H01L29/86 301P
, H01L21/365
, H01L21/368 Z
Fターム (62件):
4G077AA03
, 4G077BB10
, 4G077DB05
, 4G077EA02
, 4G077EA03
, 4G077EA06
, 4G077EB01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077FB06
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TB04
, 4G077TB13
, 4G077TC02
, 4G077TC06
, 4G077TC12
, 4G077TG04
, 4G077TG07
, 4G077TK01
, 4G077TK06
, 4G077TK08
, 5F045AA03
, 5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AA15
, 5F045AB40
, 5F045AC11
, 5F045AC13
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AE15
, 5F045AE17
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045BB16
, 5F045CA05
, 5F045CA07
, 5F045CA15
, 5F045DA53
, 5F045DP03
, 5F045DP04
, 5F045EF02
, 5F045EF08
, 5F045EK06
, 5F053AA50
, 5F053BB60
, 5F053DD20
, 5F053FF01
, 5F053GG06
, 5F053HH10
, 5F053KK01
, 5F053KK02
, 5F053KK10
, 5F053LL10
引用特許:
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