特許
J-GLOBAL ID：202103018977848390

光モジュール及びその製造方法

発明者：
石川 靖彦

石川 靖彦 について

, 
中井 哲弥

中井 哲弥 について

, 
佐々木 駿

佐々木 駿 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について

, 
国立大学法人豊橋技術科学大学

国立大学法人豊橋技術科学大学 について


代理人 (2件)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-160035
公開番号（公開出願番号）：特開2021-039221
出願日： 2019年09月03日
公開日（公表日）： 2021年03月11日
要約：
【課題】Si基板上のゲルマニウムの結晶性及び結晶成長効率を良好にしつつ、下部クラッド層をできるだけ薄くしながらSi基板による光吸収損失を低減する。【解決手段】光モジュール1は、Si基板10と、Si基板上に形成されたGeパターン21を含むGeフォトダイオード20と、Geフォトダイオードと光結合するようにSi基板上に設けられた光導波路30とを備えている。光導波路は、Si基板上に形成された下部クラッド層31と、下部クラッド層31上に形成された光導波路コア32と、光導波路コア32を覆うように下部クラッド上に形成された上部クラッド層33とを備えている。下部クラッド層は、Si基板上のGeパターンを露出させる開口を有し、光導波路コアの終端部はGeパターンの上面又は側面に接している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、 前記シリコン基板上に形成されたGeパターンを含むGeフォトダイオードと、 前記Geフォトダイオードと光結合するように前記シリコン基板上に設けられた光導波路とを備え、 前記光導波路は、 前記シリコン基板上に形成された下部クラッド層と、 前記下部クラッド層上に形成された光導波路コアと、 前記光導波路コアを覆うように前記下部クラッド層上に形成された上部クラッド層とを備え、 前記下部クラッド層は、前記シリコン基板上の前記Geパターンの形成領域を露出させる開口を有し、 前記光導波路コアの終端部は前記Geパターンの上面及び側面の少なくとも一方に接していることを特徴とする光モジュール。
IPC (3件)：
G02B 6/12 ,  G02B 6/132 ,  H01L 31/10
FI (3件)：
G02B6/12 301 ,  G02B6/132 ,  H01L31/10 A
Fターム (28件)：
2H147AB05 ,  2H147AB10 ,  2H147BG01 ,  2H147CD13 ,  2H147DA09 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA23A ,  2H147FA03 ,  2H147FA09 ,  2H147FB04 ,  2H147FC03 ,  2H147FC07 ,  2H147GA19 ,  5F849AA04 ,  5F849AB03 ,  5F849BA01 ,  5F849BA18 ,  5F849CB01 ,  5F849CB05 ,  5F849CB07 ,  5F849CB14 ,  5F849DA06 ,  5F849GA04 ,  5F849LA01 ,  5F849XB15 ,  5F849XB37
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM