特許
J-GLOBAL ID：201703009529915611

欠陥の少ないエピタキシャルフォトニックデバイスを提供する方法およびその結果生じる構造

発明者：
ミード,ロイ イー.

ミード,ロイ イー. について


出願人/特許権者：
マイクロン テクノロジー, インク.

マイクロン テクノロジー, インク. について


代理人 (2件)： 大菅 義之 ,  野村 泰久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-522776
公開番号（公開出願番号）：特表2016-538713
出願日： 2014年10月16日
公開日（公表日）： 2016年12月08日
要約：
フォトニックデバイスを形成する方法とその結果生じる構造が記述され、フォトニックデバイスは、基板表面の上方に垂直方向に、かつ、基板表面内に形成されるトレンチ絶縁領域の上方に横方向に、エピタキシャル成長させられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域を含む半導体基板と、 エピタキシャルなフォトニックデバイスであって、前記フォトニックデバイスの側縁が前記互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域の上に広がるように、前記互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域の上に、前記互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域と接触して、形成されるフォトニックデバイスと、 を含む、 フォトニック構造。
IPC (6件)：
H01L 31/024 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/13
FI (7件)：
H01L31/08 G ,  H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/76 L ,  G02B6/12 301 ,  G02B6/12 371 ,  G02B6/13
Fターム (55件)：
2H147AB05 ,  2H147AB10 ,  2H147DA08 ,  2H147DA10 ,  2H147EA10D ,  2H147EA12D ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147FA02 ,  2H147FA11 ,  2H147FA25 ,  2H147FC01 ,  5F032AA11 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032CA05 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA12 ,  5F032DA25 ,  5F032DA78 ,  5F045AB05 ,  5F045AB12 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA13 ,  5F045DB02 ,  5F045DB08 ,  5F152LL02 ,  5F152LN03 ,  5F152LN33 ,  5F152MM11 ,  5F152NN03 ,  5F152NN15 ,  5F152NN29 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ08 ,  5F152NQ09 ,  5F849AA01 ,  5F849AB03 ,  5F849AB07 ,  5F849BA30 ,  5F849DA06 ,  5F849EA07 ,  5F849EA11 ,  5F849GA04 ,  5F849GA05 ,  5F849XB05 ,  5F849XB51
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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