欠陥の少ないエピタキシャルフォトニックデバイスを提供する方法およびその結果生じる構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：大菅義之 , 野村泰久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-522776
公開番号（公開出願番号）：特表2016-538713
出願日： 2014年10月16日
公開日（公表日）： 2016年12月08日
要約：

フォトニックデバイスを形成する方法とその結果生じる構造が記述され、フォトニックデバイスは、基板表面の上方に垂直方向に、かつ、基板表面内に形成されるトレンチ絶縁領域の上方に横方向に、エピタキシャル成長させられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域を含む半導体基板と、エピタキシャルなフォトニックデバイスであって、前記フォトニックデバイスの側縁が前記互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域の上に広がるように、前記互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域の上に、前記互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域と接触して、形成されるフォトニックデバイスと、を含む、フォトニック構造。

IPC (6件)：

H01L 31/024 , H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 21/76 , G02B 6/12 , G02B 6/13

FI (7件)：

H01L31/08 G , H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/76 L , G02B6/12 301 , G02B6/12 371 , G02B6/13

Fターム (55件)：

2H147AB05 , 2H147AB10 , 2H147DA08 , 2H147DA10 , 2H147EA10D , 2H147EA12D , 2H147EA13A , 2H147EA13C , 2H147EA14B , 2H147FA02 , 2H147FA11 , 2H147FA25 , 2H147FC01 , 5F032AA11 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032CA05 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA20 , 5F032DA12 , 5F032DA25 , 5F032DA78 , 5F045AB05 , 5F045AB12 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA13 , 5F045DB02 , 5F045DB08 , 5F152LL02 , 5F152LN03 , 5F152LN33 , 5F152MM11 , 5F152NN03 , 5F152NN15 , 5F152NN29 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ05 , 5F152NQ08 , 5F152NQ09 , 5F849AA01 , 5F849AB03 , 5F849AB07 , 5F849BA30 , 5F849DA06 , 5F849EA07 , 5F849EA11 , 5F849GA04 , 5F849GA05 , 5F849XB05 , 5F849XB51

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体受光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-305768 出願人：シャープ株式会社
CMOSイメージセンサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-369144 出願人：東部亞南半導體株式會社
センサ、方法、および半導体センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-066291 出願人：台湾積體電路製造股ふん有限公司

全件表示

前のページに戻る