特許
J-GLOBAL ID：202103020216407913

光モジュールの製造方法及び光モジュール

発明者：
石川 靖彦

石川 靖彦 について

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中井 哲弥

中井 哲弥 について

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佐々木 駿

佐々木 駿 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について

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国立大学法人豊橋技術科学大学

国立大学法人豊橋技術科学大学 について


代理人 (2件)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-137201
公開番号（公開出願番号）：特開2021-021788
出願日： 2019年07月25日
公開日（公表日）： 2021年02月18日
要約：
【課題】SOI基板を用いることなく光導波路及びゲルマニウムフォトダイオードを同一基板上にモノリシック集積することが可能な光モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】光モジュールの製造方法は、基板10上に酸化シリコンからなる下部クラッド層20を形成する工程と、下部クラッド層20上に窒化シリコンからなるコア層30を形成する工程と、コア層30をパターニングして窒化シリコンコア31を形成する工程と、下部クラッド層20上に上部クラッド層40を形成して窒化シリコンコア31を覆う工程と、上部クラッド層40に開口41を形成して窒化シリコンコア31の終端部を露出させる工程と、上部クラッド層40をマスクとして開口41から露出する窒化シリコンコア31の終端部の上面にゲルマニウムフォトダイオード3を構成するゲルマニウムパターン50を選択的に形成する工程とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
窒化シリコンコアを有する光導波路及び前記光導波路に接続されたゲルマニウムフォトダイオードを有する光モジュールの製造方法であって、 基板上に酸化シリコンからなる下部クラッド層を形成する工程と、 前記下部クラッド層上に窒化シリコンからなるコア層を形成する工程と、 前記コア層をパターニングして前記窒化シリコンコアを形成する工程と、 前記下部クラッド層上に上部クラッド層を形成して前記窒化シリコンコアを覆う工程と、 前記上部クラッド層に開口を形成して前記窒化シリコンコアの終端部を露出させる工程と、 前記上部クラッド層をマスクとして前記開口から露出する前記窒化シリコンコアの前記終端部の上面に前記ゲルマニウムフォトダイオードを構成するゲルマニウムパターンを選択的に形成する工程とを備えることを特徴とする光モジュールの製造方法。
IPC (5件)：
G02B 6/132 ,  G02B 6/12 ,  H01L 31/023 ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/108
FI (5件)：
G02B6/132 ,  G02B6/12 301 ,  H01L31/02 D ,  H01L31/10 A ,  H01L31/10 C
Fターム (41件)：
2H147AB05 ,  2H147AB09 ,  2H147AC01 ,  2H147BB02 ,  2H147EA12B ,  2H147EA13C ,  2H147EA14A ,  2H147EA14B ,  2H147EA14C ,  2H147EA15C ,  2H147EA32B ,  2H147FA03 ,  2H147FA09 ,  2H147FA27 ,  2H147FC01 ,  5F849AA04 ,  5F849AA06 ,  5F849AB03 ,  5F849BA10 ,  5F849BA18 ,  5F849BA28 ,  5F849BB01 ,  5F849CA02 ,  5F849CB03 ,  5F849CB10 ,  5F849CB18 ,  5F849DA02 ,  5F849DA06 ,  5F849DA44 ,  5F849FA05 ,  5F849FA12 ,  5F849GA04 ,  5F849HA13 ,  5F849JA14 ,  5F849LA01 ,  5F849XB05 ,  5F849XB15 ,  5F849XB24 ,  5F849XB37 ,  5F849XB39 ,  5F849XB51
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)
  • High performance, waveguide integrated Ge photodetectors
審査官引用 (1件)
  • High performance, waveguide integrated Ge photodetectors

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