研課題
J-GLOBAL ID：202104002524708946
研究課題コード：08005717
位相差極端紫外光顕微鏡による機能性材料表面観察・計測技術
体系的課題番号：JPMJCR02C5
実施期間：2002 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 高度産業科学技術研究所, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR02C5
研究概要：
サブナノからピコメートルの観察・計測技術の開発は、我が国のナノ産業基盤構築上の最重要課題と考えられ ます。本研究では、極端紫外光(EUV)領域で利用可能な半透膜を作成する技術確立を図り、これを用いた位相差干渉顕微鏡を開発します。これにより、次世代半導体製造用極端紫外線リソグラフィ(EUVL)マスク上の微細な欠陥(膜表面の凹凸ならびに膜中の異物により生じる位相欠陥)の分離評価が可能とな り、2007年以降には必要となる超極小線幅(50nm〜35nm)の半導体デバイスの開発に貢献できると共に、ピコオーダーでの汎用計測器への応用が期待されます。
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高度情報処理・通信の実現に向けたナノファクトリーとプロセス観測
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