特許
J-GLOBAL ID：202203003829805615

オプトエレクトロニクス半導体エレメントとオプトエレクトロニクス半導体エレメントを製造する方法

発明者：
ゴメス-イグレシアス アルバロ

ゴメス-イグレシアス アルバロ について

, 
平井 朝子

平井 朝子 について


出願人/特許権者：
オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (1件)： 特許業務法人鷲田国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-549466
公開番号（公開出願番号）：特開2019-165236
特許番号：特許第7050717号
出願日： 2016年03月24日
公開日（公表日）： 2019年09月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の導電型である第1の層(10)と、第2の導電型である第2の層(12)と、前記第1の層(10)と前記第2の層(12)との間に配置されており、意図した通り動作させるときに電磁放射を吸収または放出する活性層(11)とを含み、前記活性層(11)が少なくとも1つの量子井戸層(110)を含む量子井戸構造を有する半導体積層体(1)と、 少なくとも1つの注入領域(2)であって、成長した前記半導体積層体(1)に重ね合わされており、前記半導体積層体(1)が前記少なくとも1つの注入領域(2)全体にわたって前記第1の層(10)と同じ導電型を示すように前記半導体積層体(1)が前記少なくとも1つの注入領域(2)内においてドープされている、少なくとも1つの注入領域(2)とを備えており、 前記少なくとも1つの注入領域(2)は前記第1の層(10)から完全に前記活性層(11)を貫通し、少なくとも部分的に前記第2の層(12)に突出しており、前記少なくとも1つの注入領域(2)は横方向で、部分的にまたは完全に前記活性層(11)の連続するトラック(track)に囲まれており、ここで前記活性層(11)は前記少なくとも1つの注入領域(2)におけるよりも少なくまたは前記注入領域(2)とは逆の導電型にドープされており、 動作時に、電荷キャリアは前記第1の層(10)から少なくとも部分的に前記少なくとも1つの注入領域(2)に到達しそこから直接前記活性層(11)に注入されている、オプトエレクトロニクス半導体ボディ(100)。
IPC (3件)：
H01L 33/14 ( 201 0.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01L 33/06 ( 201 0.01)
FI (3件)：
H01L 33/14 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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