特許

J-GLOBAL ID：202203005820861590

窒化物半導体層の不純物濃度を測定する測定方法及び測定装置

発明者： 大川 峰司 ,  渡邉 健太 ,  大森 雅登
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社ミライズテクノロジーズ ,  国立大学法人 大分大学
代理人 (1件)： 弁理士法人 快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-024635
公開番号（公開出願番号）：特開2022-126514
出願日： 2021年02月18日
公開日（公表日）： 2022年08月30日
要約：

【課題】非接触及び非破壊で窒化物半導体層の不純物濃度を測定する技術を提供する。 【解決手段】窒化物半導体層100の不純物濃度を測定する測定装置1は、前記窒化物半導体層のフォトルミネッセンスに含まれる自由励起子発光と不純物束縛励起子発光から前記自由励起子発光の強度に対する前記不純物束縛励起子発光の強度の強度比(不純物束縛励起子発光の強度/自由励起子発光の強度)を算出する強度比算出部44と、前記強度比に基づいて前記窒化物半導体層の不純物濃度を特定する濃度特定部46と、を備えている。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体層(100)の不純物濃度を測定する測定方法であって、 前記窒化物半導体層のフォトルミネッセンスに含まれる自由励起子発光と不純物束縛励起子発光から前記自由励起子発光の強度に対する前記不純物束縛励起子発光の強度の強度比(不純物束縛励起子発光の強度/自由励起子発光の強度)を算出する強度比算出工程と、 前記強度比に基づいて前記窒化物半導体層の不純物濃度を特定する濃度特定工程と、を備えている、測定方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/63

FI (2件)：

H01L21/66 N ,  G01N21/63 Z

Fターム (16件)：

2G043AA01 ,  2G043BA01 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043JA01 ,  2G043LA02 ,  2G043LA03 ,  2G043NA01 ,  2G043NA11 ,  4M106AA10 ,  4M106BA05 ,  4M106BA20 ,  4M106CB01 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ18

引用特許：

審査官引用 (5件)

• キャリア濃度測定方法及びIII-V族化合物半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-367361   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体デバイス、その製造方法およびその評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-066103   出願人：住友電気工業株式会社
• 炭素濃度測定方法及び炭素濃度測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2018-003897   出願人：学校法人明治大学
• III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2019-223516   出願人：DOWAエレクトロニクス株式会社
• 検量線の作成方法、不純物濃度の測定方法、及び半導体ウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-107545   出願人：グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社