特許

J-GLOBAL ID：202203007412986124

結晶性酸化物膜、積層構造体及び半導体装置

発明者： 渡部 武紀 ,  橋上 洋 ,  坂爪 崇寛 ,  宇野 和行
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  国立大学法人 和歌山大学
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-033298
公開番号（公開出願番号）：特開2022-088406
出願日： 2022年03月04日
公開日（公表日）： 2022年06月14日
要約：

【課題】 表面が平滑なコランダム構造を有する結晶性酸化物膜を含み、半導体装置に適用した場合に半導体特性の優れた積層構造体を提供することを目的とする。 【解決手段】 下地基板と、コランダム構造を有する結晶性酸化物膜とを有する積層構造体であって、前記結晶性酸化物膜が、不純物として少なくとも炭素(C)を含み、前記結晶性酸化物膜の二乗平均平方根粗さ(RMS)が0.1μm以下である積層構造体。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

コランダム構造を有する結晶性酸化物膜であって、 前記結晶性酸化物膜は、不純物として少なくとも炭素(C)を含み、 前記結晶性酸化物膜の二乗平均平方根粗さ(RMS)は0.1μm以下であり、 前記結晶性酸化物膜は膜の中に金属元素を含み、該金属元素中のガリウムの原子比は0.5以上であり、 前記結晶性酸化物膜中のC濃度は2×10 17 ~2×10 20 /cm 3 であることを特徴とする結晶性酸化物膜。

IPC (8件)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/24 ,  C23C 16/40

FI (10件)：

C30B29/16 ,  C30B25/18 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 Z ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/24 ,  C23C16/40

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-164748   出願人：公立大学法人高知工科大学
• 結晶性積層構造体、半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-070469   出願人：株式会社FLOSFIA

審査官引用 (3件)

• 結晶性酸化物薄膜、半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2018-126538   出願人：株式会社FLOSFIA
• 結晶性積層構造体、半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-070469   出願人：株式会社FLOSFIA
• 高耐圧ショットキーバリアダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-058519   出願人：株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構, 国立大学法人東京農工大学

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Japanese Journal of applied Physics