高耐圧ショットキーバリアダイオード

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (4件)：平田忠雄 , 岩永勇二 , 遠藤和光 , 伊藤浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-058519
公開番号（公開出願番号）：特開2016-178250
出願日： 2015年03月20日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
要約：

【課題】耐圧特性に優れる、Ga2O3系の高耐圧ショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】第1のIV族元素及び濃度5×1016cm-3以下のClを含む第1のGa2O3系単結晶からなり、実効ドナー濃度が1×1013以上かつ6.0×1017cm-3以下である第1の層10と、第2のIV族元素を含む第2のGa2O3系単結晶からなり、第1の層10よりも実効ドナー濃度が高い、第1の層10に積層された第2の層12と、第1の層10上に形成されたアノード電極14と、第2の層12上に形成されたカソード電極15と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のIV族元素及び濃度5×1016cm-3以下のClを含む第1のGa2O3系単結晶からなり、実効ドナー濃度が1×1013以上かつ6.0×1017cm-3以下である第1の層と、第2のIV族元素を含む第2のGa2O3系単結晶からなり、前記第1の層よりも実効ドナー濃度が高い、前記第1の層に積層された第2の層と、前記第1の層上に形成されたアノード電極と、前記第2の層上に形成されたカソード電極と、を有する、高耐圧ショットキーバリアダイオード。

IPC (6件)：

H01L 29/872 , H01L 21/329 , H01L 29/47 , H01L 29/24 , C30B 29/16 , C23C 16/40

FI (8件)：

H01L29/86 301D , H01L29/48 P , H01L29/48 D , H01L29/86 301F , H01L29/86 301P , H01L29/24 , C30B29/16 , C23C16/40

Fターム (27件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BB10 , 4G077DB05 , 4G077EB01 , 4G077EF01 , 4G077FJ06 , 4G077FJ07 , 4G077HA06 , 4K030AA03 , 4K030AA14 , 4K030BA08 , 4K030BA42 , 4K030BB02 , 4K030BB13 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030LA12 , 4M104AA03 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104FF02 , 4M104GG03 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (1件)

ショットキーバリアダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-245519 出願人：株式会社タムラ製作所

引用文献：

審査官引用 (3件)

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