特許
J-GLOBAL ID：202203007705139817

状態予測装置及び半導体製造装置

発明者：
石黒 正貴

石黒 正貴 について

, 
角屋 誠浩

角屋 誠浩 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテク

株式会社日立ハイテク について


代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-154589
公開番号（公開出願番号）：特開2020-031096
特許番号：特許第6990634号
出願日： 2018年08月21日
公開日（公表日）： 2020年02月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 プラズマ処理装置の状態を予測する状態予測装置において、 正常な状態の前記プラズマ処理装置のモニタされたデータから前記プラズマ処理装置の状態を示す第一の特徴量が求められ、前記プラズマ処理装置のモニタされたデータから前記プラズマ処理装置の状態を示す第二の特徴量が求められ、前記求められた第二の特徴量が前記第一の特徴量を用いて標準化され、前記標準化された第二の特徴量の大きいものから順番に選択された特徴量と同一の種類の前記第一の特徴量を用いて前記プラズマ処理装置の状態を予測するモデルが生成され、前記生成されたモデルを用いて前記プラズマ処理装置の状態が予測され、前記標準化された第二の特徴量の値は、前記第二の特徴量における、前記プラズマ処理装置の正常な状態からの外れ具合を表す値であることを特徴とする状態予測装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/302 103 ,  H01L 21/302 101 D ,  H05H 1/46 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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