半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人あい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-178306
公開番号（公開出願番号）：特開2022-190166
出願日： 2022年11月07日
公開日（公表日）： 2022年12月22日
要約：

【課題】良質なSiO 2 層を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】第1導電型のSiC半導体層2と、SiC半導体層の表面に形成された第2導電型の複数のボディ領域8と、複数のボディ領域の表面側にそれぞれ形成された第1導電型の複数のソース領域26と、隣り合う複数のソース領域を跨ぐようにSiC半導体層上に形成され、SiC半導体層に接する接続面、および、接続面の反対側に位置する非接続面を有するSiO 2 層12と、SiO 2 層の非接続面に配置され、非接続面の一部が露出するように配置されたゲート電極13と、SiO 2 層の非接続面の露出部およびゲート電極を覆う層間絶縁層31と、を有し、SiO 2 層は、接続面から非接続面に向けて炭素密度が漸減する炭素密度漸減領域23と、炭素密度漸減領域の非接続面側に形成され、炭素密度が炭素密度漸減領域よりも小さい低炭素密度領域24とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型のSiC半導体層と、前記SiC半導体層の表面に形成された第2導電型の複数のボディ領域と、複数の前記ボディ領域の表面側にそれぞれ形成された第1導電型の複数のソース領域と、隣り合う複数の前記ソース領域を跨ぐように前記SiC半導体層上に形成され、前記SiC半導体層に接する接続面、および、前記接続面の反対側に位置する非接続面を有するSiO 2 層と、前記SiO 2 層の前記非接続面に配置され、前記非接続面の一部が露出するように配置されたゲート電極と、前記SiO 2 層の前記非接続面の露出部および前記ゲート電極を覆う層間絶縁層と、を有し、前記SiO 2 層は、前記接続面から前記非接続面に向けて炭素密度が漸減する炭素密度漸減領域と、前記炭素密度漸減領域の前記非接続面側に形成され、炭素密度が前記炭素密度漸減領域よりも小さい低炭素密度領域と、を有する、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336 , H01L 29/739 , H01L 21/316

FI (6件)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 653A , H01L29/78 658F , H01L29/78 655A , H01L21/316 S

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-166320 出願人：経済産業省産業技術総合研究所長, 科学技術振興事業団, 三洋電機株式会社
国際公開第2011/074237A1号

審査官引用 (4件)

半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-107938 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-265615 出願人：ローム株式会社
トレンチMOS型炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-173521 出願人：富士電機株式会社

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