特許
J-GLOBAL ID：202203012713971320
光半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
片山 修平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-008214
公開番号（公開出願番号）：特開2019-087714
特許番号：特許第7007926号
出願日： 2018年01月22日
公開日（公表日）： 2019年06月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1半導体材料の第1半導体層上に、パターニングされた第1マスクを形成する工程と、 前記第1マスクでパターニングされた前記第1半導体層をエッチングする工程と、前記エッチングする工程の後、前記第1半導体層の露出部分に、前記第1半導体材料とは異なる第2半導体材料の第2半導体層を形成する工程と、 前記第1マスクを除去した後、前記第1半導体層の露出部分および前記第2半導体層上に第3半導体材料の第3半導体層を形成する工程と、 前記第2半導体層の一部を露出させ、前記第2半導体層の露出箇所を、前記第1半導体材料および前記第3半導体材料よりも早く前記第2半導体材料を取り除くエッチング液にさらす工程と、を含む光半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/12 ( 202 1.01)
, H01L 21/308 ( 200 6.01)
H01S 5/12
, H01L 21/308 C
