特許
J-GLOBAL ID：202203013355109537
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
池上 徹真
, 須藤 章
, 高下 雅弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-175441
公開番号（公開出願番号）：特開2020-047791
特許番号：特許第6995725号
出願日： 2018年09月19日
公開日（公表日）： 2020年03月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の面と前記第1の面に対向する第2の面を有する炭化珪素層と、 前記炭化珪素層の中に設けられた第1導電型の第1の炭化珪素領域と、 前記第1の炭化珪素領域と前記第1の面との間に設けられ、前記第1の面と接する部分の形状が八角形である第2導電型の第2の炭化珪素領域と、 前記第1の炭化珪素領域と前記第1の面との間に設けられ、前記第1の面に平行な第1の方向に延び、前記第2の炭化珪素領域に接続され、前記第1の面に対し平行で前記第1の方向に垂直な第2の方向の幅が、前記第2の炭化珪素領域の前記第2の方向の幅よりも狭い第2導電型の第3の炭化珪素領域と、 前記炭化珪素層の前記第1の面の側に設けられ、前記第1の炭化珪素領域に接する第1の電極と、 前記炭化珪素層の前記第2の面の側に設けられた第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の炭化珪素領域との間に設けられ、前記第1の面と接する部分の形状が八角形である金属シリサイド層と、を備える半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
H01L 29/86 301 F
, H01L 29/86 301 E
, H01L 29/86 301 D
, H01L 29/91 K
, H01L 29/06 301 G
, H01L 29/06 301 V
, H01L 29/91 D
, H01L 29/91 F
, H01L 21/28 301 S
, H01L 29/44 P
, H01L 21/28 301 B
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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