特許
J-GLOBAL ID：201703015505500194

半導体装置

発明者：
大田 剛志

大田 剛志 について

, 
堀 陽一

堀 陽一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-053102
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168663
出願日： 2016年03月16日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：
【課題】オン電流密度の増加を可能とする半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の電極と、第2の電極と、少なくとも一部が第1の電極と第2の電極との間に設けられた半導体層と、半導体層内に設けられ、第1の電極と接する第1導電型の第1の半導体領域と、第1の電極と第1の半導体領域との間に設けられ、第1の電極と接する第2導電型の第2の半導体領域と、第1の電極と第2の半導体領域との間に設けられ、第1の電極と接し、第2の半導体領域より第2導電型の不純物濃度の高い第2導電型の第3の半導体領域と、第1の電極と第1の半導体領域との間に設けられ、第1の電極と接し、第2の半導体領域よりも幅が狭く、第1の電極と第1の半導体領域との第1の接触面からの第2の半導体領域の深さよりも第1の接触面からの深さが浅く、第3の半導体領域より第2導電型の不純物濃度の低い第2導電型の第4の半導体領域と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の電極と、 第2の電極と、 少なくとも一部が前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた半導体層と、 前記半導体層内に設けられ、前記第1の電極と接する第1導電型の第1の半導体領域と、 前記半導体層内の前記第1の電極と前記第1の半導体領域との間に設けられ、前記第1の電極と接する第2導電型の第2の半導体領域と、 前記半導体層内の前記第1の電極と前記第2の半導体領域との間に設けられ、前記第1の電極と接し、前記第2の半導体領域の第2導電型の不純物濃度より第2導電型の不純物濃度の高い第2導電型の第3の半導体領域と、 前記半導体層内の前記第1の電極と前記第1の半導体領域との間に設けられ、前記第1の電極と接し、前記第2の半導体領域の幅よりも幅が狭く、前記第1の電極と前記第1の半導体領域との第1の接触面からの前記第2の半導体領域の深さよりも前記第1の接触面からの深さが浅く、前記第3の半導体領域の第2導電型の不純物濃度より第2導電型の不純物濃度の低い第2導電型の第4の半導体領域と、 を備える半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/06
FI (12件)：
H01L29/91 K ,  H01L29/44 S ,  H01L29/48 M ,  H01L29/48 D ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/91 F ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301E ,  H01L29/91 D ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/48 E
Fターム (20件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB14 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD24 ,  4M104DD26 ,  4M104DD96 ,  4M104FF02 ,  4M104FF07 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104HH15 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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