特許
J-GLOBAL ID：202203013952833793
SOIウェーハ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
杉村 憲司
, 杉村 光嗣
, 川原 敬祐
, 福井 敏夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-165750
公開番号（公開出願番号）：特開2020-038917
特許番号：特許第7006544号
出願日： 2018年09月05日
公開日（公表日）： 2020年03月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 支持基板シリコンウェーハと、 該支持基板上の単結晶シリコンからなる活性層と、 前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層との間に設けられた埋め込み絶縁層と、を有するSOIウェーハであって、 前記埋め込み絶縁層は、(i)単結晶SiC及びアモルファスSiCのいずれかからなる絶縁層と、(ii)酸化シリコンからなる密着層と、を備え、 該密着層は、前記埋め込み絶縁層の内部に設けられることを特徴とするSOIウェーハ。
IPC (7件)：
H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 27/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 21/314 ( 200 6.01)
, C30B 25/02 ( 200 6.01)
, C30B 29/36 ( 200 6.01)
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/20
, H01L 21/316 M
, H01L 21/314 M
, C30B 25/02 P
, C30B 29/36 A
