特許
J-GLOBAL ID：200903006381313542
SOI基板およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-212276
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041830
出願日： 2006年08月03日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】SOI基板において確実にゲッタリング効果が得られるようにする。【解決手段】埋め込み酸化膜として機能するシリコン酸化膜2と活性層として機能するシリコン層4の間にSiC含有層3を配置する。つまり、活性層中の一部に、SiC含有層3を形成した構造とする。シリコン酸化膜2の表面に直接シリコン層4を形成した場合、シリコン酸化膜2のヤング率がシリコン層4より小さくシリコン層4に格子歪みを十分に発生させられないが、シリコン酸化膜2の表面に単結晶シリコンよりも熱膨張係数及びヤング率の大きなSiC含有層3を形成しておくことで、ウェハ貼り合わせ工程や半導体装置製造工程中の熱処理の際に、これらの間に格子歪みを発生させることが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体材料により構成された支持基板(1)と、
前記支持基板(1)の上に形成された埋め込み酸化膜(2)と、
前記埋め込み酸化膜(2)を挟んで前記支持基板(1)の反対側に配置され、半導体材料により構成された活性層(4)と、
前記埋め込み酸化膜(2)と前記活性層(4)との間、もしくは、前記支持基板(1)と前記埋め込み酸化膜(2)との間に配置され、前記活性層(4)との熱膨張係数の差に基づいて、熱処理時に前記活性層(4)に格子歪みを発生させる格子歪形成用層(3、10)と、を備えていることを特徴とするSOI基板。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/322
H01L27/12 B
, H01L21/322 G
, H01L21/322 J
, H01L21/02 B
, H01L21/322 C
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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