特許
J-GLOBAL ID：202203015389970811

半導体受光デバイス、赤外線検知装置

発明者：
スンダララジャン バーラセカラン

スンダララジャン バーラセカラン について

, 
稲田 博史

稲田 博史 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  ▲高▼木 邦夫 ,  寺澤 正太郎 ,  近藤 伊知良
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-040851
公開番号（公開出願番号）：特開2019-160836
特許番号：特許第7027970号
出願日： 2018年03月07日
公開日（公表日）： 2019年09月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体受光デバイスであって、 n型半導体領域を含む支持体と、 電子障壁を提供するバリア構造、赤外線に感応するバンドギャップを有するIII-V化合物半導体を含む光吸収層、及びp型半導体領域を含み、前記支持体上に設けられた半導体メサの配列を備えるメサ構造体と、を備え、 前記バリア構造は、第1スペーサー半導体層、第1バリア層及び第2スペーサー半導体層を含み、 前記p型半導体領域、前記光吸収層、前記第1スペーサー半導体層、前記第1バリア層、前記第2スペーサー半導体層、及び前記n型半導体領域は、第1軸の方向に配列され、 前記半導体受光デバイスは、前記第1スペーサー半導体層に接続された制御電極を更に備え、 前記半導体メサの各々は、前記p型半導体領域及び前記光吸収層を含み、各半導体メサは、前記第1スペーサー半導体層に到達する側面を有する、半導体受光デバイス。
IPC (1件)：
H01L 31/10 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 31/10 A
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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