エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠重 , 伊東忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-147891
公開番号（公開出願番号）：特開2020-024995
特許番号：特許第7061941号
出願日： 2018年08月06日
公開日（公表日）： 2020年02月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくとも1層の酸化シリコン膜と少なくとも1層の窒化シリコン膜を積層して形成される積層構造を、該積層構造の上に積層された有機絶縁膜に設けられた開口を通してエッチングするエッチング方法であって、 CF系ガスと酸素原子を含むガスとからなる第1の処理ガスにより生成されたプラズマにより前記開口を通して前記積層構造をエッチングする第1の工程と、 CF系ガスと希ガスとからなる、または、CHF系ガスと希ガスとからなる第2の処理ガスにより生成されたプラズマにより前記開口を通して前記積層構造をエッチングする第2の工程と、を有することを特徴とするエッチング方法。

IPC (1件)：