特許
J-GLOBAL ID：202203020301417143

III族窒化物半導体発光ダイオード、およびその製造方法

発明者：
大野 啓

大野 啓 について

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山下 賢哉

山下 賢哉 について

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石橋 明彦

石橋 明彦 について


出願人/特許権者：
パナソニックホールディングス株式会社

パナソニックホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人鷲田国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-129975
公開番号（公開出願番号）：特開2020-009914
特許番号：特許第7075840号
出願日： 2018年07月09日
公開日（公表日）： 2020年01月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 フリップチップ型のIII族窒化物半導体発光ダイオードであって、 一般式RAMO4で表される単結晶体(一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、およびCdからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す)で構成されるRAMO4層と、 前記RAMO4層に積層された積層体と、 を含み、 前記積層体は、少なくともIII族窒化物半導体からなる発光層と、 前記発光層の一方の側に配置されたn型III族窒化物半導体層と、 前記発光層の他方の側に配置されたp型III族窒化物半導体層と、 を含み、 前記RAMO4層は、前記積層体との界面より、前記積層体と反対側の面の方が、平坦度が低く、 前記n型III族窒化物半導体層は、前記RAMO4層に隣接して配置されており、 前記n型III族窒化物半導体層の厚さは50μm以上であり、前記RAMO4層の厚さは10μm以下である、 III族窒化物半導体発光ダイオード。
IPC (3件)：
H01L 33/22 ( 201 0.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01L 33/62 ( 201 0.01)
FI (3件)：
H01L 33/22 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/62
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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