特許

J-GLOBAL ID：202203021332773858

メモリデバイス

発明者： 大山 茂郎 ,  遠藤 哲郎
出願人/特許権者： シャープセミコンダクターイノベーション株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 特許業務法人SBPJ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-157276
公開番号（公開出願番号）：特開2022-058239
出願日： 2021年09月27日
公開日（公表日）： 2022年04月11日
要約：

【課題】動作信頼性を向上できるメモリデバイスを提供する。 【解決手段】メモリデバイスは、データを保持可能なメモリセルと、訂正符号の生成と、訂正符号に基づいてエラーを検出可能なECC回路とを備える。メモリセルはパイプライン動作によってアクセスされる。パイプライン動作は、メモリセルからデータを読み出すリードサイクルと、ECC回路において、メモリセルに関する訂正符号の生成またはエラー検出を実行するECCサイクルと、メモリセルに関するデータについての処理が実行されないウェイトサイクルと、メモリセルにデータを書き込むライトサイクルとを含む少なくとも4段のパイプラインステージを含む。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

データを保持可能なメモリセルと、 訂正符号の生成と、前記訂正符号に基づいてエラーを検出可能なECC回路と を具備し、前記メモリセルはパイプライン動作によってアクセスされ、前記パイプライン動作は、 前記メモリセルからデータを読み出すリードサイクルと、 前記ECC回路において、前記メモリセルに関する前記訂正符号の生成またはエラー検出を実行するECCサイクルと、 前記メモリセルに関するデータについての処理が実行されないウェイトサイクルと、 前記メモリセルにデータを書き込むライトサイクルと を含む少なくとも4段のパイプラインステージを含む、メモリデバイス。

IPC (2件)：

G11C 7/10 ,  G11C 11/16

FI (5件)：

G11C7/10 240 ,  G11C11/16 240 ,  G11C11/16 230 ,  G11C11/16 260 ,  G11C11/16 250

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体記憶装置及びデータ読み出し方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2017-045201   出願人：東芝メモリ株式会社
• 国際公開第2007/046349号
  

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-060424   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-104345
  
• 記憶制御方式
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-305605   出願人：株式会社日立製作所