Rchr
J-GLOBAL ID:200901042037536060   Update date: Aug. 30, 2024

Koide Yasuo

コイデ ヤスオ | Koide Yasuo
Affiliation and department:
Homepage URL  (1): http://yankoide.blue.coocan.jp/
Research field  (6): Structural and functional materials ,  Electronic devices and equipment ,  Electric/electronic material engineering ,  Thin-film surfaces and interfaces ,  Crystal engineering ,  Applied materials
Research keywords  (9): Widegap Semiconductor Materials ,  Nanofabrication ,  Optical and Electrical Device Physics ,  Optical and Electrical Materials ,  Physics of Surface and Interface ,  Semiconductor Physics and Technology ,  Electronic Materials ,  Surfaces and Interfaces Physics ,  Semiconductor Physics
Research theme for competitive and other funds  (58):
  • 2020 - 2024 Develop a carrier control method for diamond using heterojunction doping technique
  • 2016 - 2021 Steering Group
  • 2016 - 2021 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発(評価基盤領域)
  • 2016 - 2021 III族窒化物ナノラミネート特異構造を用いたダイヤモンド電子デバイスの開発
  • 2016 - 2019 Investigation of Ferroelectric Property Based on Nitride/Oxide Stack Structure and Its Application for Diamond FET
Show all
Papers (321):
  • Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Manami Miyamoto, Hiromi Miura, Kazuhito Tsukagoshi, Yasuo Koide. A Powerful Method to Improve Dielectric/GaN Interface Properties: A Dummy SiO2 Process. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2024. 13. 8. 085003
  • Zilong Zhang, Keyun Gu, Guo Chen, Liwen Sang, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, Satoshi Koizumi, Masaya Toda, Meiyong Liao. Highly Reliable Diamond MEMS Dual Sensor for Magnetic Fields and Temperatures with Self-Recognition Algorithms. Advanced Materials Technologies. 2024. 9. 13
  • Daiki Nishioka, Takashi Tsuchiya, Masataka Imura, Yasuo Koide, Tohru Higuchi, Kazuya Terabe. A high-performance deep reservoir computer experimentally demonstrated with ion-gating reservoirs. Communications Engineering. 2024. 3. 1
  • Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Hiroko Iguchi, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, et al. Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers. Journal of Applied Physics. 2024. 135. 18
  • Keyun Gu, Zilong Zhang, Guo Chen, Liwen Sang, Jian Huang, Yasuo Koide, Meiyong Liao. Ultrahigh Responsivity of Diamond-based Solar-blind Photodetectors Using Hydrogen Plasma Treatment. 2024 IEEE 19th International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems (NEMS). 2024. 1-4
more...
MISC (126):
Patents (57):
  • 半導体光検出器
  • 紫外光検出デバイス及びその製造方法
  • 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  • 光学フィルタ及び表示装置
  • グラフェントランジスタ
more...
Books (7):
  • 「バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-」
    (株)シーエムシー出版 2011
  • 「環境・エネルギー材料ハンドブック」
    物質・材料研究機構監修,オーム社 2010
  • 「ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線」第21章,光センサの技術展望
    (株)シーエムシー出版 2008
  • 「ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線」第14章,オーミックコンタクト
    (株)シーエムシー出版 2008
  • 「薄膜作製応用ハンドブック」
    (株)NTS 1995
more...
Lectures and oral presentations  (238):
  • Characteristics of several High-k gate insulators for GaN power device
    (236th ECS Meeting 2019)
  • Electrical properties of hydrogenated diamond MOSFETs after annealing at 500 °C
    (30th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2019)
  • Science/Technology of Interface-Engineered High-K Dielectric Nanolaminate-Based Oxides / Diamond Films for New Generation High Power Electronics
    (7th International Symposium on Integrated Functionalities 2019)
  • Influence of post-deposition annealing on electrical characteristics of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors
    (INFOS 2019 2019)
  • In-situ Control of Hole Density in Hydrogen-Terminated Diamond Achieved with All-Solid-State Electric Double Layer Transistor
    (22nd International Conference on Solid State Ionics (SSI-22) 2019)
more...
Works (129):
  • NIMSにおけるエレクトロニクス材料研究
    小出康夫 2019 -
  • パワー半導体市場におけるダイヤモンドのゆくえ
    小出康夫 2019 -
  • 次世代パワー半導体デバイス開発における材料学的課題
    小出康夫 2019 -
  • ナノラミネート特異構造ダイヤモンドデバイス
    小出康夫, 劉江偉, 井村将隆, 廖梅勇 2019 -
  • Introduction of NIMS
    小出康夫 2019 -
more...
Education (3):
  • 1984 - 1987 名古屋大学大学院 工学系研究科 電子工学専攻博士後期課程
  • 1982 - 1984 Toyohashi University of Technology Graduate School of Engineering
  • 1978 - 1982 Toyohashi University of Technology Faculty of Engineering
Professional career (1):
  • Doctor of Engineering (Nagoya University)
Work history (9):
  • 2020/04 - 現在 National Institute for Materials Science Special Mission Researcher
  • 2016 - 2020/03 物質・材料研究機構 理事
  • 2014 - NIMS
  • 2006 - 物質・材料研究機構 グループリーダー
  • 2002 - 物質・材料研究機構 主席研究員
Show all
Committee career (39):
  • 2022/05 - 現在 応用物理学会 化合物半導体エレクトロニクス業績書(赤﨑勇賞)表彰委員会委員長
  • 2021/05 - 現在 New Diamond Forum Executive Committee
  • 2017/04 - 現在 日本学術会議 連携会員
  • 2017/04 - 現在 神奈川産業技術研究所(KISTEC) 戦略的研究シーズ育成事業選考委員
  • 2020/07 - 2022/04 応用物理学会 化合物半導体エレクトロニクス業績書(赤﨑勇賞)表彰委員会委員
Show all
Awards (5):
  • 2020/08 - Japanese Applied Physics Society Fellow Development and application of electrodes and optical/electrical devices of wide-bandgap semiconductors
  • 2016/03 - 日本金属学会 第22回増本量賞 パワー半導体材料の高品質化および光電子素子応用に関する研究
  • 2008/05 - New Diamond & Nano Carbons Outstanding Poser Award of NDNC2008 Devices design in solar-blind diamond photodetectors
  • 2004/04 - International Biography center, Cambridge, England International Scientist of The Year 2004
  • 1999/05 - Murakami Memorial Foundation The 19th Murakami Encouragement Award Research on growth of high-quality thin films for AlGaN and SiGe alloy semiconductors
Association Membership(s) (4):
米国Maferials Research Society. ,  THE JAPAN INSTITUTE OF METALS AND MATERIALS ,  応用物理学会 ,  ニューダイヤモンドフォーラム
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

Return to Previous Page