Rchr
J-GLOBAL ID：200901078045305098   Update date: Jan. 17, 2024

Yokota Katsuhiro

ヨコタ カツヒロ | Yokota Katsuhiro
Affiliation and department：
Former Institution / Organization Kansai University Faculty of Engineering Science Department of Electrical and Electronic Engineering

About Former Institution / Organization Kansai University Faculty of Engineering Science Department of Electrical and Electronic Engineering


Homepage URL  (1)： http://semicon.densi.kansai-u.ac.jp
Research keywords  (13)： 薄膜堆積 ,  極低抵抗率 ,  薄膜堆積 イオンビーム支援法 ,  低・高誘電率 ,  イオン注入 イオンビーム支援法 ,  不純物 ,  半導体 ,  thin films ,  thin films low-resistivity ,  ion-beam assist deposition ,  element and compound semiconductors low- and high-k ,  impurity ,  Ion-implantation
Research theme for competitive and other funds  (8)：
  • 2002 - 2008 チタン酸バリウムの薄膜化による誘電率劣化の抑制の研究
  • 2002 - 2008 Improvement of dielectric constants on thin BaTiO3 films
  • 低密度・低誘電率薄膜の研究
  • 低誘電率DLC膜の研究
  • ガリウムひ素への不純物の拡散と電気的活性化の水素プラズマ照射による制御
Show all
MISC (36)：
ｍore...
Patents (5)：
  • 薄膜の硬度測定
  • 水素と酸素を付加00することによるセラミックス超伝導特性の改善
  • 薄膜コンデンサー
  • 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  • 窒化チタン薄膜形成方法及び該当方法に従って形成した窒化チタン薄膜
Books (1)：
  • 新世代工学シリーズ、半導体デバイス工学(オーム社)
Works (9)：
  • 半導体中の微量不純物分布に関する研究
    1990 - 2002
  • Redistribution of implanted impurities in semiconductors during annealing
    1990 - 2002
  • 半導体中への微量不純物添加における水素の存在に関する研究
    1990 - 2001
  • Chemical interaction between implanted impurities and hydrogen in silicon during annealing
    1990 - 2001
  • 半導体中への微量不純物添加技術に関する研究
    1990 - 2000
ｍore...
Professional career (2)：
  • Master of Engineering
  • Doctor of Engineering
Work history (8)：
  • Kansai University
  • Kansai University
  • Kansai University
  • Kansai University
  • Kansai University/professor
Show all
Association Membership(s) (11)：
日本材料学会 ,  Electrochemical Society ,  American Vacuum Society ,  American Physical Society ,  電子通信情報学会 ,  物理学会 ,  応用物理学会 ,  Japan material Society ,  Japan Electron Communication Information Society ,  Japan Physical Society ,  Japan Society of Applied physics
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM