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J-GLOBAL ID:201401098595565322   Update date: Aug. 09, 2024

Fuketa Hiroshi

フケタ ヒロシ | Fuketa Hiroshi
Affiliation and department:
Research field  (1): Electronic devices and equipment
Papers (97):
MISC (53):
  • 大内 真一, 更田 裕司, 高野 了成. DCNN Training with Short Bit Length Format Considering Loss of Trailing Digits. 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 117. 278. 7-12
  • 森貴洋, 浅井栄大, 服部淳一, 福田浩一, 大塚慎太郎, 森田行則, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 水林亘, et al. 等電子トラップ技術による相補型TFET回路の特性向上. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 64th. ROMBUNNO.16p-412-1
  • 森田行則, 福田浩一, LIU Y. X, 森貴洋, 水林亘, 大内真一, 更田裕司, 大塚慎太郎, 右田真司, 昌原明植, et al. IoT応用に向けたフィン型トンネルFETによるCMOSインバーターの形成. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 64th. ROMBUNNO.16p-412-3
  • 森 貴洋, 浅井 栄大, 服部 淳一, 福田 浩一, 大塚 慎太郎, 森田 行則, 大内 真一, 更田 裕司, 右田 真司, 水林 亘, et al. 招待講演 等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 116. 448. 1-4
  • Fully Integrated, 100-mV Minimum Input Voltage Converter with Gate-Boosted Charge Pump for Energy Harvesting. 2016. 116. 334. 57-62
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Work history (2):
  • 2015/04 - 現在 産業技術総合研究所
  • 2010/04 - 2015/03 The University of Tokyo Institute of Industrial Science
Awards (4):
  • 2015/05 - IEEE SSCS Kansai Chapter Academic Research Award
  • 2013/05 - IEEE Wireless Power Transfer Conference Best Paper Award
  • 2011/11 - Ericsson Young Scientist Award
  • 2010/11 - Kasami Award
Association Membership(s) (2):
THE INSTITUTE OF ELECTRONICS, INFORMATION AND COMMUNICATION ENGINEERS ,  IEEE
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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